收藏本站
AUIRF7640S2TR/TR1
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
160
140
TOP
ID
2.5A
100
120
4.8A
BOTTOM 13A
10
1msec
100 μ sec
100
80
60
1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
DC
10msec
40
20
0.1
0
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 13. Maximum Safe Operating Area
10
D = 0.50
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature
1
0.20
0.10
0.05
τ 1
τ 3
Ri (°C/W) τ i (sec)
0.49687
0.000119
τ C
0.00517
8.231486
τ 4
0.1
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
τ J
R 1
R 1
τ J
τ 1
Ci= τ i / Ri
Ci i / Ri
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
R 4
R 4
τ
τ 4
2.55852 0.018926
1.94004 0.002741
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
100
10
Duty Cycle = Single Pulse
0.01
0.05
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming Δ Tj = 150°C and
Tstart =25°C (Single Pulse)
1
0.10
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming ΔΤ j = 25°C and
Tstart = 150°C.
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
Fig 16. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth
6
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
AUIRF7665S2TR1 MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
AUIRFR120ZTR MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
AUIRFR4105ZTR MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
AUIRLR024NTR MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
AUIRLR2703TR MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
AUIRLR3410 MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
AW24MUFL-H2 2.4GHZ WIRELESS MODULE U.FL
AWAC24U 2.4GHZ WIRELESS USB DONGLE
相关代理商/技术参数
AUIRF7647S2TR 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRF7647S2TR1 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRF7648M2TR 功能描述:MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRF7648M2TR1 功能描述:MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRF7665S2TR 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRF7665S2TR1 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRF7669L2TR 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRF7669L2TR 1 制造商:International Rectifier 功能描述:AUIRF7669L2TR1 - MOSFET,,N CH,100V,375A,DIRECTFET,L8